Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.
Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data
Apa tujuan dan pendekatan risetnya?
Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.
IceMOS dan Arizona State University menggabungkan struktur SJMOS, bahan celah pita lebar, serta teknik fabrikasi MEMS dalam konsep perangkat vertikal. Tahap awal memodelkan dan menyimulasikan heterojunction silikon-SiC, menyelidiki teknik pengerasan, serta membuat perangkat baseline untuk karakterisasi radiasi. Hasil digunakan pada rancangan prototipe berikutnya dengan sasaran blocking 1200 V dan arus tinggi. Target ketahanan ion berat maupun dosis ionisasi harus dibuktikan melalui pengujian, bersama penilaian resistansi keadaan aktif.
Manfaat yang dituju
Berpotensi meningkatkan efisiensi serta keandalan komponen distribusi daya tegangan tinggi wahana.
Sasaran manfaat bukan jaminan kinerja, adopsi, atau ketersediaan produk.
Konteks pengembangan
- Institusi pemimpin
- IceMOS Technology Corporation
- Program
- Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
- Periode proyek
- 2021-05-19 → 2021-11-19
Klasifikasi NASA
- TX03.3.3 — Electrical Power Conversion and Regulation
Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.
Apa yang diketahui tentang statusnya?
TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.
Batas informasi
Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.
Dasar profil
- NASA TechPort: Radiation-Tolerant High-Voltage, High-Power Electronics WBG Drain Engineered Transistor ↗
NASA TechPort · Pembaruan sumber 01/22/26
Diakses 2026-10-13. Rujukan primer dengan atribusi. Uraian Indonesia adalah parafrasa editorial; hak dokumen dan aset upstream mengikuti pemiliknya.