Proyek riset & pengembangan

Radiation-Tolerant High-Voltage, High-Power Electronics WBG Drain Engineered Transistor

Ringkasan tujuan riset

Transistor daya super-junction silikon dengan drain yang direkayasa SiC diteliti untuk memperbaiki ketahanan radiasi dan rugi konduksi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NASA TechPort 113467Periode tercatat 2021-05-19 sampai 2021-11-19. TRL: awal 1, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 113467MulaiAkhir tercatat202120222021-05-192021-11-19TRL 1–9Awal1Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

IceMOS dan Arizona State University menggabungkan struktur SJMOS, bahan celah pita lebar, serta teknik fabrikasi MEMS dalam konsep perangkat vertikal. Tahap awal memodelkan dan menyimulasikan heterojunction silikon-SiC, menyelidiki teknik pengerasan, serta membuat perangkat baseline untuk karakterisasi radiasi. Hasil digunakan pada rancangan prototipe berikutnya dengan sasaran blocking 1200 V dan arus tinggi. Target ketahanan ion berat maupun dosis ionisasi harus dibuktikan melalui pengujian, bersama penilaian resistansi keadaan aktif.

Baca uraian penerbit

Manfaat yang dituju

Berpotensi meningkatkan efisiensi serta keandalan komponen distribusi daya tegangan tinggi wahana.

Sasaran manfaat bukan jaminan kinerja, adopsi, atau ketersediaan produk.

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
IceMOS Technology Corporation
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2021-05-19 → 2021-11-19

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.3 — Electrical Power Conversion and Regulation

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 1
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.