Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorCharacterization and Mitigation of Radiation and High Temperature Effects in SiC Power Electronics
Proyek riset & pengembangan

Characterization and Mitigation of Radiation and High Temperature Effects in SiC Power Electronics

Ringkasan tujuan riset

NanoTCAD dan pengujian perangkat memandu perubahan desain dioda SiC agar tetap bekerja pada tegangan lebih tinggi saat terkena radiasi ion berat.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 125452Periode tercatat 2022-08-03 sampai 2023-08-04. TRL: awal 4, saat akses 5, target 5. Target bukan hasil.NASA TechPort 125452MulaiAkhir tercatat202220242022-08-032023-08-04TRL 1–9Awal4Saat akses5Target5
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

CFDRC menggabungkan eksperimen dengan model fisika perangkat untuk memahami degradasi serta kegagalan SiC. Pekerjaan sebelumnya mengimplementasikan model dioda JBS dalam NanoTCAD dan menyediakan panduan kepada Wolfspeed untuk fabrikasi varian baru. Pengembangan lanjutan menilai trade-off performa listrik serta radiasi dan memperbesar daerah operasi aman pada tegangan lebih tinggi. Riset berfokus pada pedoman desain yang dapat diuji, sebelum komponen dipindahkan ke sistem pengelolaan dan distribusi daya NASA atau aplikasi lain.

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Baca uraian penerbit

Manfaat yang dituju

Mendukung pengembangan komponen daya SiC yang lebih ringan dengan ketahanan lingkungan radiasi yang terukur.

Sasaran manfaat bukan jaminan kinerja, adopsi, atau ketersediaan produk.

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
CFD Research Corporation
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2022-08-03 → 2023-08-04

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.4 — Advanced Electronic Parts

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 4
Tercatat saat aksesTRL 5
Target akhirTRL 5

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.