Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorRad-hard 1200 V SiC MOSFETs and Schottky Rectifiers for a 30 kW PPU
Proyek riset & pengembangan

Rad-hard 1200 V SiC MOSFETs and Schottky Rectifiers for a 30 kW PPU

Ringkasan tujuan riset

DMOSFET vertikal SiC dan penyearah Schottky tahan radiasi dikembangkan untuk pemroses daya propulsi listrik, melalui fabrikasi wafer, pengemasan, dan pengujian dosis radiasi terkontrol.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 33149Periode tercatat 2015-06-17 sampai 2015-12-17. TRL: awal 3, saat akses 6, target 6. Target bukan hasil.NASA TechPort 33149MulaiAkhir tercatat201520162015-06-172015-12-17TRL 1–9Awal3Saat akses6Target6
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Program mengembangkan perangkat daya berbasis SiC dengan ketahanan radiasi melalui desain perangkat serta langkah fabrikasi. Lot wafer berikutnya direncanakan menghasilkan DMOSFET dan penyearah yang dapat diuji sebagai komponen pemroses daya Hall thruster. Teknik pengemasan disesuaikan terhadap persyaratan radiasi, kemudian die terpilih dipasang untuk pengujian dosis terkontrol. Kualifikasi tingkat antariksa dan demonstrasi dalam unit pemroses daya merupakan sasaran tahap lanjutan, sehingga spesifikasi tegangan serta arus masih menjadi target pengembangan.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
GeneSiC Semiconductor Inc.
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2015-06-17 → 2015-12-17

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.3 — Electrical Power Conversion and Regulation

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 3
Tercatat saat aksesTRL 6
Target akhirTRL 6

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.