Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorIntegrated Production of Ultra-Low Defect GaN Films and Devices for High-Power Amplifiers, Phase I
Proyek riset & pengembangan

Integrated Production of Ultra-Low Defect GaN Films and Devices for High-Power Amplifiers, Phase I

Ringkasan tujuan riset

Berkas ion bersudut rendah digunakan dalam pertumbuhan film GaN untuk mengurangi cacat kristal, lalu manfaatnya dievaluasi melalui transistor dengan mobilitas elektron tinggi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 6766Periode tercatat 2008-01-18 sampai 2008-07-21.NASA TechPort 6766MulaiAkhir tercatat200820092008-01-182008-07-21
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Cacat dislokasi dan tegangan pada film GaN dapat membatasi perangkat elektronik daya tinggi. Penelitian ini memakai berkas ion pada sudut rendah untuk membentuk penyaring cacat berukuran nano sekaligus menghambat terbentuknya tetesan ketika pertumbuhan berlangsung pada suhu rendah. Kondisi penyaring dioptimalkan dan cacat diperiksa melalui pola lubang etsa. Transistor heterojunction dengan mobilitas elektron tinggi kemudian difabrikasi pada film tersebut untuk menilai dampak metode terhadap perangkat, termasuk kemungkinan proses diperluas ke wafer berarea lebih besar.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
Jet Propulsion Laboratory
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2008-01-18 → 2008-07-21

Klasifikasi NASA

  • TX08.1.1 — Detectors and Focal Planes

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted

Nilai TRL belum tersedia pada catatan yang diakses.

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.