Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktor1 Gb Radiation Hardened Nonvolatile Memory Development
Proyek riset & pengembangan

1 Gb Radiation Hardened Nonvolatile Memory Development

Ringkasan tujuan riset

Memori nonvolatil tahan radiasi berbasis SONOS dikembangkan dalam proses CMOS padat, dengan material dielektrik high-k, deposisi lapisan atomik, dan rancangan sel serta periferal khusus.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 8884Periode tercatat 2011-02-18 sampai 2011-09-29. TRL: awal 2, saat akses 3, target 3. Target bukan hasil.NASA TechPort 8884MulaiAkhir tercatat201120122011-02-182011-09-29TRL 1–9Awal2Saat akses3Target3
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Pengembangan meneliti material semikonduktor dan proses fabrikasi untuk memori berkapasitas besar yang hemat ruang, massa, serta daya. Pendekatan menggabungkan dielektrik oksida komposit high-k, shallow trench isolation, atomic lapisan deposition, arsitektur sel SINOS p-channel, dan rangkaian periferal CMOS tahan radiasi. Modul proses komersial dimanfaatkan sambil menyesuaikan desain perangkat terhadap lingkungan radiasi. Kapasitas gigabit dan kepadatan proses yang ditargetkan merupakan sasaran pengembangan, dengan karakterisasi material serta produksi perangkat menjadi bagian pembuktiannya.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
Scientic, Inc.
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2011-02-18 → 2011-09-29

Klasifikasi NASA

  • TX10.1.4 — Hazard Assessment

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 2
Tercatat saat aksesTRL 3
Target akhirTRL 3

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.