Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorExtreme Environment Electronics Based on Silicon Carbide
Proyek riset & pengembangan

Extreme Environment Electronics Based on Silicon Carbide

Ringkasan tujuan riset

Teknologi sirkuit terpadu SiC JFET dikembangkan untuk lingkungan ekstrem, melalui fabrikasi perangkat, simulasi TCAD, serta pengukuran suhu tinggi sebelum dan sesudah paparan radiasi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 89484Periode tercatat 2016-05-06 sampai 2019-05-06. TRL: awal 4, saat akses 5, target 5. Target bukan hasil.NASA TechPort 89484MulaiAkhir tercatat201620202016-05-062019-05-06TRL 1–9Awal4Saat akses5Target5
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Pengembangan memperluas proses IC berbasis SiC agar elektronik dapat beroperasi pada suhu sangat tinggi dan lingkungan radiasi. Hasil pengukuran serta uji keandalan awal digunakan sebagai dasar penyempurnaan proses. Tahap berikutnya membuat sirkuit terpadu yang dikarakterisasi pada kondisi suhu tinggi, lalu membandingkan perilakunya sebelum serta setelah radiasi. Simulasi TCAD mendukung analisis perangkat, sementara layanan fabrikasi komersial direncanakan menyediakan akses proses setelah teknologi dan kekayaan intelektual desainnya dikembangkan.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
United Silicon Carbide, Inc.
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2016-05-06 → 2019-05-06

Klasifikasi NASA

  • TX01.4.1 — Solar Sails

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 4
Tercatat saat aksesTRL 5
Target akhirTRL 5

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.