Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorImproving the Response of Silicon Carbide Devices to Cosmic Radiation
Proyek riset & pengembangan

Improving the Response of Silicon Carbide Devices to Cosmic Radiation

Ringkasan tujuan riset

Perangkat daya silicon carbide diteliti untuk meningkatkan ketahanan terhadap radiasi kosmik melalui karakterisasi MOSFET dan pengembangan alternatif JFET bertegangan tinggi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 90177Periode tercatat 2016-06-10 sampai 2016-12-09. TRL: awal 5, saat akses 8, target 8. Target bukan hasil.NASA TechPort 90177MulaiAkhir tercatat201620172016-06-102016-12-09TRL 1–9Awal5Saat akses8Target8
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

CoolCAD menempuh dua jalur untuk perangkat daya SiC yang toleran terhadap single-event effects dan total ionizing dose. Jalur pertama menguji perangkat MOSFET bersama Cree/Wolfspeed, mempelajari mekanisme kegagalan, dan membangun model sebelum menyusun desain tahan radiasi baru. Jalur kedua merancang serta memfabrikasi perangkat JFET SiC sebagai alternatif, lalu menguji kerentanannya terhadap ion berat dan dosis radiasi. Pengembangan diarahkan pada konversi serta distribusi daya antariksa yang membutuhkan tegangan tinggi dengan resistansi saat menghantar yang rendah.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
CoolCAD Electronics, LLC
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2016-06-10 → 2016-12-09

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.4 — Advanced Electronic Parts

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 5
Tercatat saat aksesTRL 8
Target akhirTRL 8

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.