Proyek riset & pengembangan

Resistive Memory Devices for Radiation Resistant Non-Volatile Memory

Ringkasan tujuan riset

Memori resistif tantalum oxide diteliti untuk ketahanan radiasi intrinsik, dibandingkan dengan perangkat hafnium oxide melalui paparan partikel dan foton pengion.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NASA TechPort 91752Periode tercatat 2014-08-01 sampai 2018-09-30. TRL: awal 2, saat akses 3, target 3. Target bukan hasil.NASA TechPort 91752MulaiAkhir tercatat201420192014-08-012018-09-30TRL 1–9Awal2Saat akses3Target3
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Strategi redundancy atau perangkat lunak dapat menambah rangkaian, memori, dan beban pemrosesan pada elektronik tahan radiasi. Penelitian ini mengevaluasi ReRAM sebagai komponen nonvolatile yang ketahanannya berasal dari perilaku perangkat. Tantalum oxide menjadi fokus kajian karena sifatnya dinilai menjanjikan tetapi belum cukup diteliti pada radiasi. Perangkat hafnium oxide digunakan sebagai pembanding. Pengujian mencakup proton, alpha particle, sinar gamma, dan sinar-X. Tujuannya ialah memahami apakah pilihan material memori dapat meningkatkan ketahanan tanpa sepenuhnya bergantung pada proteksi tambahan di tingkat sistem.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
SUNY at Albany
Program
Space Technology Research Grants
Periode proyek
2014-08-01 → 2018-09-30

Klasifikasi NASA

  • TX02.1.4 — High-Performance Memories

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 2
Tercatat saat aksesTRL 3
Target akhirTRL 3

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.