Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorModeling, Testing, and Simulation of Heavy-Ion Basic Mechanisms in Silicon Carbide Power Devices
Proyek riset & pengembangan

Modeling, Testing, and Simulation of Heavy-Ion Basic Mechanisms in Silicon Carbide Power Devices

Ringkasan tujuan riset

Respons ion berat pada perangkat daya silikon karbida dipelajari melalui pengujian listrik, radiasi, dan simulasi untuk memperbaiki model TCAD bagi kebocoran serta single-event burnout.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 91885Periode tercatat 2017-01-16 sampai 2021-01-08. TRL: awal 2, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 91885MulaiAkhir tercatat201720222017-01-162021-01-08TRL 1–9Awal2Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Pengujian SiC menunjukkan kenaikan arus off-state permanen dan kegagalan burnout pada kondisi yang belum ditangkap model perangkat biasa. Riset menganalisis kemungkinan pengaruh band structure, anisotropi kristal, cacat lattice, serta gangguan lokal akibat deposisi energi ion. Eksperimen dan simulasi digunakan untuk mengidentifikasi mekanisme lalu mengembangkan model fisika TCAD yang sesuai. Pemahaman tersebut diarahkan membantu produsen mengurangi kerentanan perangkat. Manfaat sistem daya wahana bergantung pada hasil mekanistik serta penerapan mitigasi berikutnya, bukan sekadar penggunaan material SiC.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
Vanderbilt University
Program
Space Technology Research Grants
Periode proyek
2017-01-16 → 2021-01-08

Klasifikasi NASA

  • TX03.1.1 — Photovoltaic Electrical Power

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 2
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.