Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorDevelopment of 2D and 3D transient electro-thermal computational models to predict the radiation failures in SiC-based Schottky diodes and power field-effect transistors
Proyek riset & pengembangan

Development of 2D and 3D transient electro-thermal computational models to predict the radiation failures in SiC-based Schottky diodes and power field-effect transistors

Ringkasan tujuan riset

Model elektrotermal transien untuk perangkat daya SiC diteliti agar mekanisme kegagalan akibat radiasi dapat dipahami dan kebutuhan rancangan yang lebih tahan dapat disusun.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 91923Periode tercatat 2017-01-16 sampai 2020-12-31. TRL: awal 2, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 91923MulaiAkhir tercatat201720212017-01-162020-12-31TRL 1–9Awal2Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Perangkat daya berbasis SiC menawarkan operasi pada tegangan dan suhu tinggi, tetapi responsnya terhadap radiasi harus dipahami sebelum penggunaan antariksa. Penelitian ini mengembangkan model komputasional elektrotermal transien dua dan tiga dimensi untuk dioda Schottky serta transistor efek medan daya. Fokusnya adalah mekanisme kegagalan akibat peristiwa radiasi tunggal dan kaitannya dengan respons material. Analisis ditujukan untuk memberi panduan desain serta fabrikasi perangkat yang lebih tahan terhadap lingkungan radiasi.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
Rensselaer Polytechnic Institute
Program
Space Technology Research Grants
Periode proyek
2017-01-16 → 2020-12-31

Klasifikasi NASA

  • TX12.1.2 — Computational Materials

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 2
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.