Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.
Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data
Apa tujuan dan pendekatan risetnya?
Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.
Proyek menggabungkan pertumbuhan serta pengujian GaN dengan model perangkat dan proses berbasis TCAD sebelum pembuatan mikroprosesor. Karakterisasi pada suhu tinggi menilai apakah sifat material yang menjanjikan dapat diterapkan pada sistem komputasi nyata. Efisiensi serta pengurangan ukuran dan massa merupakan manfaat yang diusulkan dari band gap besar. Suhu operasi yang ditargetkan belum menjadi hasil final; kemampuan microprocessor lengkap perlu dibedakan dari sifat bahan semikonduktornya.
Konteks pengembangan
- Institusi pemimpin
- Arizona State University-Tempe
- Program
- Hot Operating Temperature Technology
- Periode proyek
- 2017-06-01 → 2020-05-31
Klasifikasi NASA
- TX08.1.2 — Electronics
Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.
Apa yang diketahui tentang statusnya?
TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.
Batas informasi
Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.
Dasar profil
- NASA TechPort: High Temperature GaN Microprocessor for Space Applications ↗
NASA TechPort · Pembaruan sumber 01/14/20
Diakses 2026-10-13. Rujukan primer dengan atribusi. Uraian Indonesia adalah parafrasa editorial; hak dokumen dan aset upstream mengikuti pemiliknya.