Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorMonolithically Integrated Rad-Hard SiC Gate Driver for 1200 V DMOSFETs
Proyek riset & pengembangan

Monolithically Integrated Rad-Hard SiC Gate Driver for 1200 V DMOSFETs

Ringkasan tujuan riset

Gate driver SiC terintegrasi diteliti bersama power DMOSFET pada substrate yang sama, dengan pengembangan CMOS dan uji radiasi menuju platform switching daya monolitik.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 93652Periode tercatat 2017-06-05 sampai 2019-12-31. TRL: awal 4, saat akses 7, target 7. Target bukan hasil.NASA TechPort 93652MulaiAkhir tercatat201720202017-06-052019-12-31TRL 1–9Awal4Saat akses7Target7
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Proyek ini mengembangkan rangkaian gate drive yang dapat diintegrasikan dengan perangkat switching 4H-SiC. Setelah buffer NMOS dibuat pada substrate yang digunakan power DMOSFET, pengembangan berikutnya menghubungkan driver dan transistor daya sebagai satu arsitektur. Proses PMOS SiC diteliti untuk memungkinkan gate drive CMOS bersama resistor serta kapasitor terintegrasi. Perangkat lateral dan power device menjalani pengujian radiasi untuk memahami jalur degradasi. Tujuannya ialah mematangkan switching daya yang kompak serta tahan lingkungan untuk distribusi energi dan pengendalian motor antariksa.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
GeneSiC Semiconductor Inc.
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2017-06-05 → 2019-12-31

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.1 — Management and Control

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 4
Tercatat saat aksesTRL 7
Target akhirTRL 7

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.