Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorRadiation and High Temperature Tolerant GaN Power Electronics
Proyek riset & pengembangan

Radiation and High Temperature Tolerant GaN Power Electronics

Ringkasan tujuan riset

Transistor daya GaN diteliti terhadap respons ion berat, dengan pemodelan dan perubahan rancangan untuk menekan kebocoran serta kerusakan pada tegangan operasi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 93718Periode tercatat 2017-06-09 sampai 2017-12-08. TRL: awal 3, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 93718MulaiAkhir tercatat201720182017-06-092017-12-08TRL 1–9Awal3Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Proyek ini mempelajari transistor HEMT GaN-on-Si enhancement-mode bagi pengelolaan daya antariksa. Walaupun material menawarkan keunggulan listrik, pengujian sebelumnya menunjukkan ion berat dapat menimbulkan kebocoran dan kerusakan di bawah tegangan terukur perangkat. Penelitian menelaah respons tersebut untuk menentukan perubahan rancangan yang meningkatkan ketahanan radiasi. Kandidat yang menjanjikan direncanakan dibuat dan diuji, sehingga penilaian mencakup kinerja daya serta toleransi terhadap kejadian radiasi, bukan hanya kemampuan operasi suhu tinggi.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
CFD Research Corporation
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2017-06-09 → 2017-12-08

Klasifikasi NASA

  • TX05.2.2 — Power Efficiency

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 3
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.