Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.
Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data
Apa tujuan dan pendekatan risetnya?
Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.
Teknik etsa ion reaktif dalam dengan beberapa kedalaman dipakai untuk membentuk pola pada wafer silikon datar. Sejumlah wafer berpola kemudian ditumpuk dan direkatkan menjadi komponen optik. Rancangan multilapis menggabungkan gradien indeks aksial untuk mengurangi pantulan dan gradien radial untuk pemfokusan. Pendekatan ini menghindari keharusan membuat seluruh struktur halus pada permukaan lengkung serta meneliti perluasan lebar pita antirefleksi melalui susunan lapisan yang direkayasa.
Konteks pengembangan
- Institusi pemimpin
- California Institute of Technology
- Program
- Astrophysics Research and Analysis
- Periode proyek
- 2020-01-01 → 2022-12-31
Klasifikasi NASA
- TX12.1 — Materials
Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.
Apa yang diketahui tentang statusnya?
TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.
Batas informasi
Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.
Dasar profil
- NASA TechPort: Stacked Wafer-Bonded Gradient Index Silicon Optics with Integral Antireflection Treatment ↗
NASA TechPort · Pembaruan sumber 10/16/20
Diakses 2026-10-13. Rujukan primer dengan atribusi. Uraian Indonesia adalah parafrasa editorial; hak dokumen dan aset upstream mengikuti pemiliknya.