Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorCAREER: Spintronic Devices Using Screw Dislocations in Single-Crystalline Semiconductors
Proyek riset & pengembangan

CAREER: Spintronic Devices Using Screw Dislocations in Single-Crystalline Semiconductors

Ringkasan tujuan riset

Spin FET memakai dislokasi ulir semikonduktor sebagai kanal dengan lifetime spin terkontrol gate, menggunakan nanomembran bertwist untuk meneliti operasi suhu ruang dan lebih tinggi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2144944Periode tercatat 2022-07-01 sampai 2027-06-30.NSF 2144944MulaiAkhir tercatat202220282022-07-012027-06-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Kontak feromagnetik selektif spin dengan alignment berlawanan dipasang di ujung kanal; tegangan gate mengubah polarisasi sehingga menentukan keadaan ON atau OFF. Kopling Rashba dan Dresselhaus pada dislokasi diteliti untuk ketahanan scattering dan lifetime panjang. Annealing bicrystal atau nanomembran dengan sudut twist terkontrol membentuk jaringan dislokasi, terutama pada SiC. Fabrikasi serta karakterisasi menghubungkan proses, struktur, dan transport untuk menilai rasio switching serta kemungkinan integrasi spintronik.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of New Mexico
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M, SSA-Special Studies & Analysis, EPSCoR Co-Funding
Periode pendanaan tercatat
2022-07-01 → 2027-06-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.