Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorLow Temperature Embedded Memory Devices for Near-Memory and In-Memory Computing
Proyek riset & pengembangan

Low Temperature Embedded Memory Devices for Near-Memory and In-Memory Computing

Ringkasan tujuan riset

Memori embedded pada tujuh puluh tujuh kelvin meneliti RRAM, FeFET, dan eDRAM gain-cell dua transistor untuk cooptimasi accelerator near-memory serta in-memory pada beban data-intensif.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2218604Periode tercatat 2022-10-01 sampai 2026-09-30.NSF 2218604MulaiAkhir tercatat202220272022-10-012026-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Perangkat buatan internal dan test vehicle foundry akan dikarakterisasi pada suhu kriogenik. RRAM serta FeFET multilevel ditujukan bagi bobot yang sering dibaca, sementara eDRAM menangani buffer yang sering ditulis. Framework benchmark menghubungkan teknologi perangkat dengan desain accelerator agar throughput, latensi, dan energi dapat dibandingkan terhadap suhu ruang. Sasaran penghematan serta peningkatan kinerja dalam sumber tetap target pathfinding, dengan manfaat energi total perlu mempertimbangkan biaya pendinginan sistem.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Georgia Tech Research Corporation
Program
Special Projects - CCF, FET-Fndtns of Emerging Tech
Periode pendanaan tercatat
2022-10-01 → 2026-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Computer and Information Science and Engineering
  • CSE - Core Programs

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFTidak aktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.