Proyek riset & pengembangan

Exploring the Limits of Scaling and 3D-integration for Edge-contacted Nanomaterial-based Transistors

Ringkasan tujuan riset

Kontak tepi nanomaterial meneliti pengaruh gate, paparan udara, dan proses suhu rendah untuk mengintegrasikan transistor MoS2 tipe-n serta nanotube karbon tipe-p secara vertikal.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2227175Periode tercatat 2022-09-01 sampai 2025-08-31.NSF 2227175MulaiAkhir tercatat202220262022-09-012025-08-31
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Perangkat MoS2 dengan dan tanpa overlap gate akan menguji batas scaling panjang kontak. Empat proses pembentukan kontak tepi pada MoS2 serta WSe2 dibandingkan terhadap paparan udara sebelum deposisi logam. Proses kontak CNT di bawah empat ratus derajat ditargetkan agar kompatibel back-end-of-line. Integrasi monolitik tiga dimensi menyatukan transistor n dan p dengan kontak serta via pada langkah sama, menilai antarmuka listrik sekaligus penyederhanaan masking manufaktur.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Duke University
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2022-09-01 → 2025-08-31

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Division of Electrical, Communications and Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFTidak aktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.