Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorASCENT: Enabling efficient high power grid applications by high voltage rating ultrawidebandgap transistors
Proyek riset & pengembangan

ASCENT: Enabling efficient high power grid applications by high voltage rating ultrawidebandgap transistors

Ringkasan tujuan riset

Transistor Ga2O3 ultra-widebandgap memakai lapisan drift MOCVD dan current-blocking berdoping magnesium, dengan substrat konduktif termal untuk menargetkan switching daya bertegangan di atas sepuluh kilovolt.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2231026Periode tercatat 2022-10-01 sampai 2027-09-30.NSF 2231026MulaiAkhir tercatat202220282022-10-012027-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Pertumbuhan in situ akan mengoptimalkan lapisan pemblokir dan drift berdoping rendah untuk defect density serta uniformity. MOSFET dirancang, difabrikasi, dan diukur terhadap breakdown, lalu diintegrasikan heterogen dengan material pelepas panas. Penelitian menelaah switching losses, operasi paralel, dan benchmark rangkaian menggunakan perangkat baru. Hasil awal integrasi serta doping yang disebut sumber merupakan fondasi eksperimen, sementara rating di atas sepuluh kilovolt pada perangkat inovatif tetap tujuan program yang akan dievaluasi.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
SUNY at Buffalo
Program
ASCENT-Address-Chalg-Eng-Teams
Periode pendanaan tercatat
2022-10-01 → 2027-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.