Proyek riset & pengembangan

Collaborative Research: Electrically Modulated Near-field Thermophotonics with Metal-Oxide-Semiconductor Nanostructures

Ringkasan tujuan riset

Nanostruktur MOS akan memakai electrical gating dan kopling evanescent untuk meneliti modulasi radiative heat transfer medan dekat yang dapat disetel secara dinamis.

Energi1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2309663Periode tercatat 2023-11-01 sampai 2027-10-31.NSF 2309663MulaiAkhir tercatat202320282023-11-012027-10-31
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

FinFET dengan gate oxide serta elektroda ultratipis wrap-around mengubah konsentrasi pembawa pada keseluruhan nanostruktur, melampaui wilayah aktif tipis MOS planar. Gap nanometrik ke permukaan emitter menargetkan penguatan near-field. Teori, fabrikasi, karakterisasi, serta pengukuran metrologi akan memvalidasi perubahan fungsi dielektrik dan flux; transfer melebihi batas blackbody far-field merupakan target efek near-field yang diuji.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Arizona State University
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2023-11-01 → 2027-10-31

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.