Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorCAREER: Ultrawide Bandgap Aluminum Nitride FETs for Power Electronics
Proyek riset & pengembangan

CAREER: Ultrawide Bandgap Aluminum Nitride FETs for Power Electronics

Ringkasan tujuan riset

Transistor daya aluminium nitrida diteliti melalui rekayasa epitaksi, permukaan, kontak dan medan listrik untuk mendekati potensi semikonduktor bercelah pita sangat lebar.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2338604Periode tercatat 2024-06-01 sampai 2029-05-31.NSF 2338604MulaiAkhir tercatat202420302024-06-012029-05-31
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Pertumbuhan homoepitaksi MOCVD dikaji untuk memahami cacat, doping dan transport pembawa. Karakterisasi permukaan serta optimasi kontak Schottky dan ohmik disambungkan dengan rancangan transistor normally-off yang membatasi kegagalan dini. Integrasi monolitik transistor, penggerak dan rangkaian kontrol menjadi tahap lanjutan. Efisiensi, tegangan dan temperatur kerja tinggi merupakan target pengembangan; performa perangkat AlN saat ini masih berada di bawah batas teoritis materialnya.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Arizona State University
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2024-06-01 → 2029-05-31

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.