Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorCollaborative Research: Robust, Efficient, and Compact Packaged Ultra-Wide Bandgap Gallium Oxide Power Switches for High Voltage, High Temperature Applications
Proyek riset & pengembangan

Collaborative Research: Robust, Efficient, and Compact Packaged Ultra-Wide Bandgap Gallium Oxide Power Switches for High Voltage, High Temperature Applications

Ringkasan tujuan riset

Sakelar daya gallium oxide dikembangkan melalui desain elektrotermal perangkat-kemasan bersama yang menggabungkan kendali medan, mitigasi cacat, dan isolasi suhu tinggi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2401578Periode tercatat 2024-10-01 sampai 2027-09-30.NSF 2401578MulaiAkhir tercatat202420282024-10-012027-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Perangkat β-Ga2O3 diteliti dengan dielektrik berpermitivitas serta konduktivitas termal tinggi, guard ring, penipisan substrat, dan rekayasa kontak Schottky. Kemasan memakai dielektrik cair serta material berkonduktivitas bergantung medan untuk membatasi stres listrik dan pelepasan parsial. Identifikasi cacat mengarahkan proses besar-area. Kerangka menguji interdependensi perangkat serta modul menuju kelas ampere dan multikilovolt, dengan keandalan serta efisiensi tetap menjadi target.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Texas at Dallas
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2024-10-01 → 2027-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.