Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaEnergiNovel 4H-SiC MOS Devices for Self-Biased High-Efficiency Radiovoltaic Batteries
Proyek riset & pengembangan

Novel 4H-SiC MOS Devices for Self-Biased High-Efficiency Radiovoltaic Batteries

Ringkasan tujuan riset

Perangkat MOS vertikal 4H-SiC dengan dielektrik high-k epitaksial dirancang untuk mengubah radiasi beta menjadi daya listrik tanpa tegangan bias eksternal.

Energi1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2404862Periode tercatat 2024-10-01 sampai 2027-09-30.NSF 2404862MulaiAkhir tercatat202420282024-10-012027-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Deposisi laser berpulsa akan membentuk Y2O3 dan dielektrik pembanding pada epilayer SiC. Karakterisasi sambungan, spektroskopi cacat, serta analisis permukaan menelusuri penjebakan muatan dan panjang difusi pembawa minoritas. Ketebalan epilayer juga divariasikan untuk menilai resistansi seri. Sel diuji memakai sumber beta Ni-63 dengan sasaran efisiensi mendekati batas teoretis; daya stabil jangka panjang masih menjadi tujuan, bukan hasil yang sudah tercapai.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of South Carolina at Columbia
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2024-10-01 → 2027-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.