Proyek riset & pengembangan

FuSe2 Topic 2: High Resolution Imaging of Defects in Semiconductors: Detection, Reliability, and Mitigation

Ringkasan tujuan riset

Metrologi tiga dimensi dan model prediktif multiskala dikembangkan untuk mendeteksi cacat kemasan semikonduktor heterogen serta menilai kontribusinya terhadap kegagalan perangkat.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2425126Periode tercatat 2024-09-15 sampai 2027-08-31.NSF 2425126MulaiAkhir tercatat202420282024-09-152027-08-31
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Karakterisasi material tiga dimensi akan dipadukan dengan mekanika, pembelajaran mesin, dan model numerik-analitis lintas skala panjang. Alat mencari cacat paling kritis pada kemasan terintegrasi dua maupun tiga dimensi. Analisis probabilistik dan ketidakpastian memperkirakan peluang kegagalan komponen tertentu. Deteksi cepat serta peningkatan keandalan menjadi sasaran, bukan jaminan bahwa seluruh cacat produksi dapat ditemukan oleh satu metode.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Purdue University
Program
NSF-Intel Semiconductr Partnrs, FuSe-Future of Semiconductors, NSF-Samsung Partnership
Periode pendanaan tercatat
2024-09-15 → 2027-08-31

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Chemical, Bioengineering, Environmental, & Transport Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.