Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaMaterial rekayasaThermomechanical Fatigue Damage of Semiconductor/Metal Dissimilar Interfaces
Proyek riset & pengembangan

Thermomechanical Fatigue Damage of Semiconductor/Metal Dissimilar Interfaces

Ringkasan tujuan riset

Fatigue termomekanis antarmuka semikonduktor-logam akan dinilai melalui perubahan impedance dan kriteria energi debonding untuk memahami kegagalan sambungan.

Material rekayasa1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2436148Periode tercatat 2025-05-01 sampai 2028-04-30.NSF 2436148MulaiAkhir tercatat202520292025-05-012028-04-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Pembebanan termal-mekanis siklik menguji pengaruh mismatch pemuaian pada inisiasi serta propagasi retak. Simulasi menentukan amplitude uji dan variabel mikrostruktur, lalu eksperimen fatigue serta karakterisasi memvalidasinya. Kajian diperluas dari silikon ke SiC, gallium oxide, hafnia terdoping zirconium, dan GaN. Parameter specific energy of interfacial debonding ditujukan menyatukan penilaian kerusakan, dengan validitas lintas material yang perlu diuji.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Cal Poly Pomona Foundation, Inc.
Program
Mechanics of Materials and Str
Periode pendanaan tercatat
2025-05-01 → 2028-04-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Civil, Mechanical, & Manufacturing Innovation

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.