Proyek riset & pengembangan

EAGER: Ion-implanted atom-like defects in semiconductors for single-photon emission at telecommunication wavelengths

Ringkasan tujuan riset

Defek mirip atom ditanamkan pada semikonduktor melalui berkas ion terfokus untuk menghasilkan emisi foton tunggal pada panjang gelombang telekomunikasi terpilih.

Optik, instrumentasi & media1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2436745Periode tercatat 2024-09-01 sampai 2027-02-28.NSF 2436745MulaiAkhir tercatat202420282024-09-012027-02-28
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Implantasi vanadium, erbium atau unsur lain dilakukan pada lokasi litografis di film SiC dan AlGaN. Setelah annealing, difraksi sinar-X memeriksa kristalinitas dan mikrofotoluminesensi memetakan emisi. Autokorelasi orde kedua menguji sifat kuantum cahaya, dilengkapi studi awal eksitasi listrik pada struktur khusus. Proyek menargetkan pembentukan defek deterministik untuk sumber 1,3 dan 1,55 mikrometer; fungsi jaringan kuantum atau kriptografi belum didemonstrasikan sebagai keluaran.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Carnegie Mellon University
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2024-09-01 → 2027-02-28

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.