Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorCAREER: Ultra-wide bandgap AlGaN channel transistors for low loss, high voltage power electronics
Proyek riset & pengembangan

CAREER: Ultra-wide bandgap AlGaN channel transistors for low loss, high voltage power electronics

Ringkasan tujuan riset

Transistor kanal AlGaN berkandungan aluminium tinggi diteliti untuk tegangan daya kilovolt, resistansi rendah, dan pemahaman perangkap elektron serta batas termal.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2441140Periode tercatat 2025-07-01 sampai 2030-06-30.NSF 2441140MulaiAkhir tercatat202520312025-07-012030-06-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Material ultra-wide-bandgap dengan fraksi aluminium di atas 0,6 menjadi kanal FET yang ditargetkan mencapai breakdown hingga 10 kV. Penelitian menilai penanganan medan listrik, photo C-V, breakdown bergantung waktu, dan injeksi pembawa panas untuk menguraikan penjebakan elektron ketika perangkat tertekan. Resistansi batas termal epitaksial turut diidentifikasi dan diminimalkan. Resistansi on-state sekitar sepuluh kali lebih rendah daripada SiC merupakan sasaran kinerja yang perlu didemonstrasikan.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Wisconsin-Madison
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2025-07-01 → 2030-06-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.