Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorMonolithic Three-Dimensional Integrated Circuit Technology Based on High-Performance Junctionless Transistors Built on Single-Crystalline Silicon Nanomembranes
Proyek riset & pengembangan

Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuit Technology Based on High-Performance Junctionless Transistors Built on Single-Crystalline Silicon Nanomembranes

Ringkasan tujuan riset

Nanomembran silikon kristal tunggal akan ditransfer pada temperatur rendah untuk membuat transistor junctionless di tier atas IC monolitik tiga dimensi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2450485Periode tercatat 2025-06-01 sampai 2028-05-31.NSF 2450485MulaiAkhir tercatat202520292025-06-012028-05-31
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Membran sangat tipis dengan doping seragam dicetak-transfer pada wafer CMOS yang telah selesai, dengan target temperatur di bawah 200°C. Transistor dibentuk tanpa doping tambahan agar anggaran termal tetap di bawah 400°C. Via antarlapis padat menghubungkan tier untuk logika serta memori. Riset menguji peningkatan integrasi tanpa merusak perangkat bawah, sehingga batas thermal process menjadi bagian utama pengembangan dan karakterisasi.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Illinois at Urbana-Champaign
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2025-06-01 → 2028-05-31

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.