Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorERI: LPCVD-Based Growth and Etching of Gallium Oxide for High Aspect Ratio Vertical Trench Schottky Barrier Diodes
Proyek riset & pengembangan

ERI: LPCVD-Based Growth and Etching of Gallium Oxide for High Aspect Ratio Vertical Trench Schottky Barrier Diodes

Ringkasan tujuan riset

Pertumbuhan dan etsa gallium oxide berbasis LPCVD akan dikembangkan untuk membuat dioda Schottky trench vertikal beraspek rasio tinggi dengan rugi rendah.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2501623Periode tercatat 2025-10-01 sampai 2027-09-30.NSF 2501623MulaiAkhir tercatat202520282025-10-012027-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

LPCVD akan membentuk lapisan drift beta-Ga₂O₃ tebal dengan doping silikon ringan. Etsa anisotropik menggunakan gallium logam padat di lingkungan yang sama ditujukan menghindari kerusakan plasma serta menghasilkan dinding halus. Dioda trench kemudian difabrikasi dan dikarakterisasi terhadap breakdown, resistansi on, serta kebocoran. Orientasi kristal, transport massa, dan segregasi dopan dianalisis untuk menghubungkan proses material dengan performa multi-kilovolt yang ditargetkan.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Massachusetts Lowell
Program
ERI-Eng. Research Initiation
Periode pendanaan tercatat
2025-10-01 → 2027-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.