Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorECLIPSE-PFAS: Sustainable Use of Etch Gases in Semiconductor Manufacturing
Proyek riset & pengembangan

ECLIPSE-PFAS: Sustainable Use of Etch Gases in Semiconductor Manufacturing

Ringkasan tujuan riset

Pemodelan dan eksperimen plasma memeriksa penggunaan gas etsa semikonduktor dengan perhatian pada penguraian PFAS dan pembentukan produk samping.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2512091Periode tercatat 2025-07-01 sampai 2028-06-30.NSF 2512091MulaiAkhir tercatat202520292025-07-012028-06-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Memutus ikatan karbon-fluorin belum menjamin gas PFAS tidak terbentuk kembali. Proyek ini menelaah termodinamika dan kinetika penguraian, pengaruh spesies oksigen serta hidrogen reaktif, dan peran gas sekunder atau katalis. Kinerja proses etsa dibandingkan dengan dampak lingkungan; data tervalidasi eksperimen juga direncanakan menjadi bahan pelatihan model pembelajaran mesin.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of California-Los Angeles
Program
AM-Advanced Manufacturing
Periode pendanaan tercatat
2025-07-01 → 2028-06-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Civil, Mechanical, & Manufacturing Innovation

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.