Proyek riset & pengembangan

Development of magnesium zinc oxide deep ultraviolet semiconductor lasers

Ringkasan tujuan riset

Laser MgZnO ultraviolet dalam akan menggunakan junction metal-semiconductor-metal dan ionisasi tumbukan untuk menghindari kebutuhan konduktivitas p-type yang kuat.

Optik, instrumentasi & media1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2512397Periode tercatat 2025-10-01 sampai 2028-09-30.NSF 2512397MulaiAkhir tercatat202520292025-10-012028-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Film nanokolom MgZnO terdoping gallium ditumbuhkan melalui molecular beam epitaxy dengan variasi fraksi magnesium. Elektron berenergi tinggi ditujukan menghasilkan pasangan elektron-hole tambahan untuk laser acak pada rentang 200–315 nm. Kopling mode akan diteliti untuk mengubah emisi multidireksional multigelombang menjadi terarah serta single-mode. Simulasi, fabrikasi, dan karakterisasi menguji konsep; operasi koheren suhu ruang masih merupakan tujuan.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of California-Riverside
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2025-10-01 → 2028-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.