Proyek riset & pengembangan

CAREER: Energy-efficient Magnetic Random Access Memory (MRAM) with All-Superconducting Operations

Ringkasan tujuan riset

Memori magnetik superkonduktor diteliti untuk membaca dan menulis dengan arus super, menghubungkan transport spin, bahan antarmuka, serta rangkaian periferal kriogenik.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2540679Periode tercatat 2026-06-01 sampai 2031-05-31.NSF 2540679MulaiAkhir tercatat202620322026-06-012031-05-31
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Pengukuran magnetotransport memeriksa kendali magnetisasi pada heterostruktur superkonduktor-feromagnet. Tumpukan bahan, termasuk tantalum nitride dengan kopling spin-orbit kuat, dioptimalkan untuk sudut spin Hall dan densitas arus kritis. Dioda serta transistor superkonduktor dikembangkan bagi operasi baca-tulis menyeluruh. Validasi perangkat dan rangkaian akan menilai kelayakan memori kriogenik hemat energi, dengan biaya refrigerasi tetap perlu diperhitungkan dalam manfaat sistem.

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Minnesota-Twin Cities
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2026-06-01 → 2031-05-31

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.